工作原理

1、湿法清洗（批量槽式 / 单晶圆旋转喷淋式）

1. 化学反应清洗（RCA 标准工艺）
   • SC1（氨水 + 双氧水 + 超纯水）：氧化分解有机物、剥离表面微颗粒；
   • SC2（盐酸 + 双氧水 + 超纯水）：溶解铁、铜、钠等重金属离子；
   • 稀 HF（DHF）：可控去除表面自然氧化层，活化硅基底表面。
2. 物理辅助去污
   • 兆声波（0.8~1.2MHz）：温和空化效应剥离纳米级微粒，不伤精密图案，先进制程***；
   • 常规超声波（28kHz/40kHz）：空化冲击力更强，多用于成熟制程批量除大颗粒；
   • 旋转喷淋、二流体喷淋、PVA 软刷擦拭，定向冲刷顽固附着物。
3. 漂洗 + 无痕干燥
   超高纯度去离子水多级漂洗去除药液残留，搭配旋干、马兰戈尼 IPA 干燥、真空干燥，杜绝水印、水渍、图案倒塌。
4. 碳氢密闭机型：溶剂溶解油污有机物，配套蒸馏回收、氮气防爆密闭，适合封装段高洁净除油。

2、干法清洗（先进制程专用）

等离子清洗、紫外臭氧清洗、超临界 CO₂清洗，无液相毛细效应，避免微小结构坍塌，用于 7nm 及以下先进节点、3D 封装精细清洗。

二、技术参数

1. 适配晶圆规格：4/6/8/12 英寸硅片；兼容 Si、SiC、GaN、GaAs 化合物半导体衬底
2. 声波配置
   • 超声波：28kHz/40kHz，功率密度可控，成熟制程批量清洗；
   • 兆声波：800kHz–1.2MHz，低损伤去除≥20nm 超细颗粒
3. 温控精度：20~95℃可调，控温精度 ±0.5℃，片内温差＜3℃
4. 水质要求：超纯水电阻率≥18.2MΩ・cm，半导体级
5. 药液系统：浓度控制误差≤±0.5%，在线实时配比、循环过滤再生
6. 过滤等级：多级精密过滤，终端滤芯精度 0.05μm
7. 洁净性能
   • 颗粒去除率＞99.9%，可清除≥0.02μm 微粒；
   • 金属离子残留≤1×10¹⁰ atoms/cm²；
   • 有机残留≤0.1ng/cm²
8. 干燥方式：高速旋干（1000–5000rpm）、马兰戈尼干燥、真空干燥、氮气吹扫
9. 腔体材质：高纯 PFA、PTFE、石英，无金属离子析出污染
10. 洁净厂房等级：整机 Class 1~Class 10 洁净环境配置，HEPA 滤网过滤效率 99.999%
11. 机型分类
    • 批式槽式：25~50 片 / 篮批量处理，适合 28nm 以上成熟制程；
    • 单晶圆旋转式：单片独立腔体、无交叉污染，适配先进制程
      
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三、应用范围

清洗工件

前道晶圆制造应用

1. 光刻前后清洗、刻蚀后残胶清洗、离子注入后污染物去除；
2. PVD/CVD 薄膜沉积前表面活化预处理；
3. CMP 研磨后浆料、硅泥颗粒清洗；
4. 氧化层生长、扩散工艺前基底超净处理；
5. 先进制程 FinFET、GAA、3D NAND 高深孔结构无损清洗。

后道封装测试应用

1. 晶圆减薄、划片后粉尘、切削液清洗；
2. 焊盘除氧化、引线键合前表面洁净处理；
3. 塑封、点胶、植球前除油污、脱模剂、粉尘；
4. 倒装芯片底部填充、BGA 间隙残留助焊剂清洗；
5. 成品芯片可靠性测试前洁净处理。

功率半导体与第三代半导体